梁孟松，1952年出生，男，汉族，毕业于加利福尼亚大学伯克利分校电机工程及计算机科学系，师从胡正明教授，博士学位。电机和电子工程师学会院士（IEEE Fellow），拥有450多项专利，曾发表技术论文350余篇，主要从事内存储存器以及先进逻辑制程技术开发。

梁孟松现任中芯国际集成电路制造有限公司（全称中芯国际集成电路制造有限公司，证券代码：00981.HK/688981.SH）联合首席执行官，曾于2017年10月至2021年11月期间担任该公司执行董事。被列为中芯国际5名核心技术人员之一。

梁孟松曾任AMD（美国超威）工程师、台积电资深研发处长、三星电子芯片部门技术长，其拥有发明专利“集成电路结构的形成方法”“集成电路与其形成方法与电子组件专利”等。

个人经历

梁孟松1952年7月出生，在国立成功大学电机工程学系取得学士与硕士学位，后就读于加利福尼亚大学伯克利分校电机工程及计算机科学系，取得博士学位。师从半导体晶圆加工技术之父胡正明教授。

毕业后加入AMD（美国超威半导体公司）从事存储器研发。

1992年担任台积电工程师、资深研发处长，是台积电近500个专利的发明人。2003年，梁孟松助力台积电在130纳米制程工艺中击败IBM。

2006年，梁孟松因在台积电受到冷遇，晋升无望，导致他离职，并带走了一批研发人员投奔三星电子，出任三星芯片部门CTO。2009年8月在三星电子旗下的成均馆大学任教。2010年10月，梁孟松在韩国成均馆大学担任访问教授。

2017年10月加入中芯国际集成电路制造有限公司，被任命为联合首席执行官兼执行董事。被列为中芯国际5名核心技术人员之一。

2020年12月16日，中芯国际发布公告称，已知悉梁孟松博士有条件辞任的意愿，中芯国际正积极与梁博士核实其真实性辞任之意愿。

2021年11月11日，中芯国际公告，梁孟松不再担任执行董事，继续担任联合首席执行官。

主要成就

2016年2月份，中芯国际就宣布28纳米工艺进入设计定案阶段（tape-out），但良品率一直不稳定。2016年，梁孟松在其率领团队的努力下，不到一年就将中芯国际集成电路制造有限公司28纳米工艺良品率提升至85%以上。2017年10月，梁孟松在中芯国际的邀请下，出任中芯国际联席CEO。在短短300天内就攻克了14纳米工艺技术的难关，将中芯国际的工艺良品率提升到95%，并把技术推向了更先进的7nm节点。

作为专利发明人：集成电路结构的形成方法，专利号：CN201310390288.3。集成电路与其形成方法与电子组件，专利号：CN200410042978.0。

荣誉奖项

相关事件

2020年12月15日，中芯国际集成电路制造有限公司正式宣布，蒋尚义获委任为中芯国际董事会副董事长、第二类执行董事及战略委员会成员，其任期自2020年12月15日起至2021年股东周年大会为止。对于蒋尚义的任职，梁孟松投出了无理由投弃权票，同时在董事会上提出了辞职。次日，中芯国际首次称，知悉联席CEO梁孟松有条件辞任的意愿。离职传闻引发了股市场内基金强烈反应。中芯国际港股停牌，A股盘中一度跌近10%。